மூலக்கூறு கற்றை எபிடாக்ஸி உயர் வெற்றிடத்தில் அல்லது அதி-உயர் வெற்றிடத்தில் (1 x 10) மேற்கொள்ளப்பட்டது.^-8பா) சூழல். மூலக்கூறு கற்றை எபிடாக்ஸியின் மிக முக்கியமான அம்சம் அதன் குறைந்த படிவு வீதமாகும், இது வழக்கமாக ஒரு மணி நேரத்திற்கு 3000 nm க்கும் குறைவான விகிதத்தில் எபிடாக்சியல் வளர அனுமதிக்கிறது. இத்தகைய குறைந்த படிவு விகிதத்திற்கு மற்ற படிவு முறைகளைப் போன்ற அதே அளவிலான தூய்மையை அடைய போதுமான அதிக வெற்றிடம் தேவைப்படுகிறது.

மேலே விவரிக்கப்பட்ட அதி-உயர் வெற்றிடத்தை சந்திக்க, MBE சாதனம் (Knudsen cell) ஒரு குளிரூட்டும் அடுக்கைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் வளர்ச்சி அறையின் அதி-உயர் வெற்றிட சூழலை திரவ நைட்ரஜன் சுழற்சி முறையைப் பயன்படுத்தி பராமரிக்க வேண்டும். திரவ நைட்ரஜன் சாதனத்தின் உள் வெப்பநிலையை 77 கெல்வின் (−196 °C)க்கு குளிர்விக்கிறது. குறைந்த வெப்பநிலை சூழல் வெற்றிடத்தில் உள்ள அசுத்தங்களின் உள்ளடக்கத்தை மேலும் குறைக்கலாம் மற்றும் மெல்லிய படங்களின் படிவுக்கான சிறந்த நிலைமைகளை வழங்குகிறது. எனவே, MBE உபகரணங்களுக்கு -196 °C திரவ நைட்ரஜனின் தொடர்ச்சியான மற்றும் நிலையான விநியோகத்தை வழங்க ஒரு பிரத்யேக திரவ நைட்ரஜன் குளிரூட்டும் சுழற்சி அமைப்பு தேவைப்படுகிறது.