மூலக்கூறு கற்றை எபிடாக்ஸி உயர் வெற்றிடம் அல்லது அதி-உயர் வெற்றிடத்தில் (1 x 10^-8பா) சூழல். மூலக்கூறு பீம் எபிடாக்ஸியின் மிக முக்கியமான அம்சம் அதன் குறைந்த படிவு வீதமாகும், இது வழக்கமாக படம் ஒரு மணி நேரத்திற்கு 3000 என்.எம் விகிதத்தில் எபிடாக்சியல் வளர அனுமதிக்கிறது. அத்தகைய குறைந்த படிவு விகிதத்தில் மற்ற படிவு முறைகளைப் போலவே தூய்மையை அடைய போதுமான அளவு வெற்றிடம் தேவைப்படுகிறது.

மேலே விவரிக்கப்பட்ட அல்ட்ரா-உயர் வெற்றிடத்தை சந்திக்க, MBE சாதனம் （நுட்சென் செல் a ஒரு குளிரூட்டும் அடுக்கு உள்ளது, மேலும் வளர்ச்சி அறையின் தீவிர உயர் வெற்றிட சூழலை ஒரு திரவ நைட்ரஜன் சுழற்சி முறையைப் பயன்படுத்தி பராமரிக்க வேண்டும். திரவ நைட்ரஜன் சாதனத்தின் உள் வெப்பநிலையை 77 கெல்வின் (−196 ° C) ஆக குளிர்விக்கிறது. குறைந்த வெப்பநிலை சூழல் வெற்றிடத்தில் உள்ள அசுத்தங்களின் உள்ளடக்கத்தை மேலும் குறைத்து, மெல்லிய படங்களை படிவதற்கு சிறந்த நிலைமைகளை வழங்கும். ஆகையால், -196 ° C திரவ நைட்ரஜனின் தொடர்ச்சியான மற்றும் நிலையான விநியோகத்தை வழங்க MBE கருவிகளுக்கு ஒரு பிரத்யேக திரவ நைட்ரஜன் குளிரூட்டும் சுழற்சி அமைப்பு தேவைப்படுகிறது.